特許
J-GLOBAL ID:200903028046147992

光学活性シクロペンタジエニル化合物の製造方法、光学活性メタロセンの製造方法、光学活性アズレニル化合物、架橋光学活性メタロセン、および、αーオレフィンの重合方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-349697
公開番号(公開出願番号):特開2001-163893
出願日: 1999年12月09日
公開日(公表日): 2001年06月19日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】触媒や医農薬中間体に有用な光学活性シクロペンタジエニル誘導体を高い光学純度で得る方法の提供。【解決手段】光学活性の含酸素もしくは含窒素化合物の共存下に式(1)の化合物と炭素求核剤とを反応させ、得られた光学活性シクロペンタジエニルアニオンを求電子試薬と反応させ式(2)の光学活性シクロペンタジエニル誘導体を得る。(R1〜R6は、H、ハロゲン、炭化水素基等)(R7は炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基等、Eは水素原子、周期表3族から13族の元素、炭化水素基等、mは1または2)
請求項(抜粋):
光学活性含酸素化合物もしくは光学活性含窒素化合物の共存下に下記一般式(1)で表されるシクロペンタジエニル誘導体と炭素求核剤とを反応させて光学活性シクロペンタジエニルアニオンを生成せしめ、得られた光学活性シクロペンタジエニルアニオンを求電子試薬と反応せしめて下記一般式(2)で表される光学活性シクロペンタジエニル化合物を得ることを特徴とする光学活性シクロペンタジエニル化合物の製造方法。【化1】(式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6は、互いに結合して環を形成していてもよく、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のケイ素含有炭化水素基、または炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基を示す)【化2】(式中、*は不斉炭素を示し、正R1、R2、R3、R4、R5、R6は、前記一般式(1)と同じ意味を表し、R7はR5、R6とは異なる、炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のケイ素含有炭化水素基、炭素数1〜20の酸素含有炭化水素基、炭素数1〜20の窒素含有炭化水素基、炭素数1〜20のリン含有炭化水素基、または炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基を示し、Eは水素原子、無置換もしくは置換された周期表3族から14族の元素、炭素数1〜20の炭化水素基、水素原子、ハロゲン原子、もしくは炭素数1〜20の炭化水素基を有するシリル基、シリレン基、オリゴシリレン基、ゲルミル基、ゲルミレン基、またはオリゴゲルミレン基を示し、mは1または2の整数を示す)
IPC (6件):
C07F 15/00 ,  C07F 7/08 ,  C07F 7/12 ,  C07F 15/02 ,  C08F 4/60 ,  C08F 10/00
FI (6件):
C07F 15/00 B ,  C07F 7/08 C ,  C07F 7/12 Z ,  C07F 15/02 ,  C08F 4/60 ,  C08F 10/00
Fターム (77件):
4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ06 ,  4H049VR24 ,  4H049VS02 ,  4H049VS12 ,  4H049VT40 ,  4H049VT48 ,  4H049VU33 ,  4H049VU36 ,  4H049VW01 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AA03 ,  4H050AB40 ,  4H050AB84 ,  4H050BD70 ,  4H050BE62 ,  4H050WB11 ,  4H050WB21 ,  4J028AA01A ,  4J028AB00A ,  4J028AB01A ,  4J028AC01A ,  4J028AC10A ,  4J028AC20A ,  4J028AC28A ,  4J028AC39A ,  4J028AC46A ,  4J028BA00A ,  4J028BA01B ,  4J028BA02B ,  4J028BB00A ,  4J028BB00B ,  4J028BB01B ,  4J028BB02B ,  4J028BC12B ,  4J028BC13B ,  4J028BC15B ,  4J028BC25B ,  4J028CA30B ,  4J028CA30C ,  4J028EA01 ,  4J028EB01 ,  4J028EB02 ,  4J028EB03 ,  4J028EB04 ,  4J028EB05 ,  4J028EB07 ,  4J028EB08 ,  4J028EB09 ,  4J028EB10 ,  4J028EB13 ,  4J028EB16 ,  4J028EB17 ,  4J028EB18 ,  4J028EC01 ,  4J028EC02 ,  4J028GA12 ,  4J100AA02P ,  4J100AA03P ,  4J100AA04P ,  4J100AA15P ,  4J100AA16P ,  4J100AA17P ,  4J100AA19P ,  4J100AA21P ,  4J100AR03Q ,  4J100AR04Q ,  4J100AR11Q ,  4J100AR22Q ,  4J100AS01Q ,  4J100AS02Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100FA10
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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