半導体ウェハの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：衞藤彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079266
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236489
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】レートの早いエッチングを要することなく、平坦度の高い半導体ウェハを効率よく製造することができる。【構成】インゴットをスライスしてウェハを得る。ウェハの周縁部を面取りする。ウェハの切断面をラッピングにより平面化する。ウェハの両面を同時に研磨する。ウェハの表面を鏡面仕上げする。ウェハを洗浄する。

請求項（抜粋）：

次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。(1)インゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。(2)スライスされたウェハの周縁部を面取りする面取り工程。(3)面取りされたウェハの切断面を平面化するラッピング工程。(4)ラッピングされたウェハの両面を同時に研磨する両面研磨工程。(5)両面研磨されたウェハの表面を鏡面仕上げする片面仕上研磨工程。(6)表面を鏡面仕上げされたウェハを洗浄する洗浄工程。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 , B24B 1/00 , B28D 5/00

FI (3件)：

H01L 21/304 321 M , B24B 1/00 A , B28D 5/00 Z

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭55-080881
半導体ウエーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-185592 出願人：株式会社東芝
特開昭64-071657

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