半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160357
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354560
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】高密度実装のために配線が微細化され、小型化され、かつ外部装置と確実に接続される半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数のチップ領域を有する半導体ウエハ1の主面の全面に感光性と低弾性とを有する下地層15を形成し、散乱光により露光、現像して電極3を開口し、端部でテーパ状の断面形状を持つ絶縁層20を形成する。次に、絶縁層20を有する半導体ウエハ1の主面の全面にスパッタリング法により金属薄膜層21を形成し、めっき用レジストパターン22を形成し、半導体ウエハ1の主面上と絶縁層20上とに電解めっきによりパッド30と配線パターン31とランド32とを同時に形成し、めっき用レジストパターン22を除去する。次に、ランド32を開口して絶縁コート40を形成し、ランド32上へバンプ50を載置し、スクライブライン60に沿って半導体ウエハ1を切断して各半導体チップ10を得る。

請求項（抜粋）：

各々電極を持つ複数のチップ領域を主面上に有する半導体ウエハを分離して、各々1個のチップ領域を有する複数の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウエハの主面上に絶縁材料からなる下地層を形成する第1の工程と、前記下地層をパターニングして前記各電極上にそれぞれ開口部を有する絶縁層を形成する第2の工程と、各々前記電極に接続され該電極から前記絶縁層上へ延びる金属配線を形成する第3の工程と、前記半導体ウエハの主面上に、前記金属配線の一部の上に開口を有する保護膜を形成する第4の工程と、前記開口内に突起状電極を形成する第5の工程と、前記突起状電極が形成された半導体ウエハを各々チップ領域ごとに分離する第6の工程とを備え、前記開口内に露出している金属配線の一部を外部電極として機能させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/92 602 Z , H01L 21/92 604 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平1-196856
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-227960 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

特開平1-196856
特開平1-196856
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-227960 出願人：ソニー株式会社

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