特許
J-GLOBAL ID：200903028080865551
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058493
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315798
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 TFT特性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の作製方法において、ドライバー回路のNTFTのLDD領域106と画素部のNTFTのLDD領域113とで不純物濃度を異ならせる。マスクを用いて濃度の異なる不純物を添加する。こうして、高速動作を有するドライバー回路と信頼性の高い画素部とを備えた液晶表示装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
同一基板上に形成されたドライバー回路と画素部とを有する半導体装置において、前記ドライバー回路及び前記画素部は、チャネル形成領域と、一対の高濃度不純物領域と、低濃度不純物領域とからなるNチャネル型TFTを有し、前記ドライバー回路に含まれる少なくとも一部のNチャネル型TFTの低濃度不純物領域に含まれる15族に属する元素の濃度は、前記画素部に含まれる少なくとも一部のNチャネル型TFTの低濃度不純物領域に含まれる15族に属する元素の濃度と比較して高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, H01L 21/336
H01L 29/78 612 B
, G09F 9/30 338
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 619 B
, H01L 29/78 627 G
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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