特許

J-GLOBAL ID：200903028081302623

半導体装置の製造方法

発明者： 加藤 晃次
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176365
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021333
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】金属酸化物誘電体を基質とする薄膜を用いた容量素子が、半導体基板上に形成された半導体記憶装置において、金属酸化物誘電体膜の酸素処理を低温化することにより、高温酸素処理による半導体素子の劣化を防ぐ。【構成】金属酸化物誘電体を積層した後、酸素、あるいはオゾンのプラズマ雰囲気中で熱処理をする。【効果】素子特性の変動や、金属、あるいは金属シリサイドの配線抵抗増加、あるいは断線を防ぐことができ、高信頼の半導体装置を製造できる。

請求項（抜粋）：

金属酸化物を主たる成分とする誘電体薄膜が、2つの電極によってはさまれた構造を有する誘電体素子が、能動素子の形成された同一基板上に集積された半導体装置の製造方法において、前記誘電体を酸素プラズマ、オゾン・プラズマの内いずれか、もしくは両方を含む雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-128531
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-304220   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-199828
  
• 特開平2-057686