特許
J-GLOBAL ID:200903028087588308
研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
富田 和子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-164650
公開番号(公開出願番号):特開2001-342454
出願日: 2000年06月01日
公開日(公表日): 2001年12月14日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】研磨後の被研磨物表面や研磨装置内に付着した砥粒を効果的に除去する。【解決手段】分散媒への25°Cにおける溶解度が0.001g/100g以上である有機及び無機物のいずれでもよい材料(下に例を示す)からなる砥粒を、上記分散媒に分散させた研磨剤を用いる。NH4ClNH4ClO4NH4HCO3Ce2(SO4)3CuCl2CuSO4アジピン酸クエン酸-水和物コハク酸シュウ酸アンモニウムショ糖マロン酸
請求項(抜粋):
分散媒と、該分散媒に分散した砥粒とを含み、上記砥粒は、上記分散媒への25°Cにおける溶解度が0.001g/100g以上である材料からなることを特徴とする研磨剤。
IPC (7件):
C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, B24B 37/00
, C09K 13/02
, C09K 13/04 102
, C09K 13/06 101
, H01L 21/304 622
FI (7件):
C09K 3/14 550 C
, C09K 3/14 550 Z
, B24B 37/00 H
, C09K 13/02
, C09K 13/04 102
, C09K 13/06 101
, H01L 21/304 622 D
Fターム (5件):
3C058CB03
, 3C058CB04
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA17
引用特許:
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