特許

J-GLOBAL ID：200903028096839313

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-326404
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220172
出願日： 1994年07月06日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【目的】 活性層より均一な発光を得て、素子の光度、出力を向上させ、また発光素子のVfをさらに低下させて、発光効率を向上させる。【構成】 少なくともn型層が活性層と基板との間に形成された構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層は基板側に形成された第一のn型層と、その第一のn型層に接して活性層側に形成されて、第一のn型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のn型層とを含み、その第二のn型層が少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体(In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-</SB><SB>X-Y</SB>N、0<X、0≦Y、X+Y≦1)よりなる。

請求項（抜粋）：

少なくともn型層が活性層と基板との間に形成された構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層は基板側に形成された第一のn型層と、その第一のn型層に接して活性層側に形成されて、第一のn型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のn型層とを含み、その第二のn型層が少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体(In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N、0<X、0≦Y、X+Y≦1)よりなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18 673

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-080984
  
• 特開昭62-190886