特許
J-GLOBAL ID：200903094515830693

半導体発光素子

発明者：
佐々木 徹

佐々木 徹 について

, 
松岡 隆志

松岡 隆志 について

, 
前佛 栄

前佛 栄 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203084
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021511
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 従来の発光素子に対し、すぐれた特性を有し、発光波長を200〜600nmの範囲で変化しうる発光素子を提供すること。【構成】 発光層63中に層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層63と成長基板61との間に層62を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
発光層中に【化1】層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層と成長基板との間に【化2】層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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