半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203084
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021511
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】従来の発光素子に対し、すぐれた特性を有し、発光波長を200〜600nmの範囲で変化しうる発光素子を提供すること。【構成】発光層63中に層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層63と成長基板61との間に層62を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

請求項（抜粋）：