特許
J-GLOBAL ID：200903028099473611

半導体装置および半導体基板の研磨方法

発明者：
斉藤 昭男

斉藤 昭男 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154163
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345792
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】半導体素子の高集積化に伴い、薄膜を形成したウエハ表面の平坦化が不可欠となり、化学機械研磨法が用いられている。化学機械研磨法を銅、タングステン、アルミ等メタルに用いて配線を形成した場合、形状が異常となったり配線が消失するという問題点があった。【解決手段】酸化剤を含む研磨液を用いる工程の後に酸化剤を含まない研磨液を用いる工程を行うことで上記課題が解決できる。
請求項（抜粋）：
化学機械研磨法を含む製造工程により製造された半導体装置において、化学機械研磨法により形成された金属配線部分の上面形状が平面か上に凸の曲面であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/88 K
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-326776   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平2-207527
  • 特開昭63-267159
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-326776   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平2-207527
  • 特開昭63-267159

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