半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法およびマスクアライメント方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-063606
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275485
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】丸型ウエハを用いて、複数回のエピタキシャル成長を経て形成される半導体光素子を製造する場合に、結晶成長工程後のマスクアライメントを可能とできるアライメントマーカの製造方法を得る。【構成】結晶成長工程後のマスクアライメントに用いるアライメントマーカの製造において、絶縁膜パターンを形成する際、光導波路を形成するためのストライプ状パターンと同時にアライメントマーカ形成領域に、該ストライプ状パターンと所定の位置関係を有する、アライメントマーカの形状に対応した形状のパターンを形成し、このパターンを用いてアライメントマーカを形成する。【効果】光導波路ストライプと所定の位置関係を有する、識別が容易なアライメントマーカを、工程数をあまり、あるいは全く増やすことなく製造できる。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の半導体層を順次結晶成長して形成した半導体積層構造をストライプ形状のパターンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工程とを含む半導体光素子の製造方法において、結晶成長工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライメントマーカを製造する方法において、ウエハ上の半導体光素子形成領域に上記光導波路を形成するためのストライプ状パターンを形成すると同時にアライメントマーカ形成領域に、上記ストライプ状パターンと所定の位置関係を有する、アライメントマーカの形状に対応した形状を有するパターンを形成する工程と、該アライメントマーカの形状に対応した形状を有するパターンを用いてアライメントマーカを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00 , H01L 21/68 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-119680
特開平4-119680
特開昭49-029986

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