特許
J-GLOBAL ID：200903028108487604
赤外線センサ、及び赤外線センサIC
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-092400
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246207
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】熱励起した正孔(ホール)による暗電流、及び拡散電流を抑制した赤外線センサを提供すること。【解決手段】第1の化合物半導体層102において発生した熱励起キャリア(正孔)は第3の化合物半導体層105方向に拡散しようとするが、第1の化合物半導体層102および第3の化合物半導体層105よりもバンドギャップが大きく、その拡散を抑制する第2の化合物半導体層103を第1の化合物半導体層102と第3の化合物半導体層105との間に設けることで、正孔による暗電流が低減される。第2の化合物半導体層103は、n型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。つまり、n型化合物半導体層103は、そのバンドギャップとn型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上の、インジウム及びアンチモンを含み、n型ドーピングされた材料である第1の化合物半導体層と、
前記第1の化合物半導体層上の、n型ドーピングされた材料である第2の化合物半導体層と、
前記第2の化合物半導体層上の、インジウム及びアンチモンを含み、ノンドープあるいはp型ドーピングされた材料である第3の化合物半導体層と
を備え、
前記第2の化合物半導体層以外の層のバンドギャップは、0.25eV以下であって、
前記第2の化合物半導体層は、前記第1の化合物半導体層および前記第3の化合物半導体層よりもバンドキャップが大きいことを特徴とする赤外線センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F049MA03
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA04
, 5F049NA05
, 5F049NB10
, 5F049PA03
, 5F049QA02
, 5F049WA01
出願人引用 (2件)
審査官引用 (1件)
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赤外線センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-126921
出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
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