特許
J-GLOBAL ID：200903028123233180
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-212258
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031909
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 リッジ導波型ストライプ構造を有する窒化ガリウム系半導体化合物レーザおいて、遠視野像にリップルが現れるためにレーザスポットの集光に支障きたす。【解決手段】 本発明の窒化ガリウム系半導体化合物レーザは、遠視野像におけるリップルの原因である水平横モードの広がりを制御するために、リッジの直下領域から離隔した位置に不純物原子を導入して形成される光吸収領域を有することを特徴とする。光吸収領域形成のために導入される不純物原子は、CuやCrを除けばどのような原子でもよく、また導入した原子の熱拡散による移動を考慮して光吸収領域はリッジの直下領域から離れて形成されている必要がある。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層をp型窒化ガリウム系化合物半導体層とn型窒化ガリウム系化合物半導体層とで挟んだ積層構造を有し、p型窒化ガリウム系化合物半導体層が部分的に除去されてリッジが形成されている窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて、前記リッジ両側のp型窒化ガリウム系半導体層に、前記リッジの直下領域から離間して、Cu、Crを除く不純物原子を導入して成る光吸収領域が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ。
Fターム (14件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073BA04
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA14
, 5F073DA25
, 5F073EA18
審査官引用 (3件)
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特開昭62-097389
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窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-308964
出願人：日亜化学工業株式会社
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特開昭62-097389
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