特許
J-GLOBAL ID：200903079432060471

窒化物半導体発光素子

発明者：
小崎 徳也

小崎 徳也 について

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山田 元量

山田 元量 について

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中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-308964
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168471
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。【解決手段】 量子井戸構造の活性層の井戸層と障壁層の間に障壁層よりバンドギャップエネルギーの大きいAldGa1-dN(0.30≦d≦1)からなる中間層をすべての井戸層の上に形成する。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する多重量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層の井戸層と障壁層の間に、前記障壁層よりバンドギャップエネルギーが大きい少なくとも1つの中間層を有し、かつ該中間層が前記井戸層の上に成長されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C
Fターム (19件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CB05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (4件)
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