特許
J-GLOBAL ID：200903028141275795
分布反射型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-230808
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048214
出願日： 1991年08月19日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 生産性に優れ信頼性の高い分布反射型半導体レーザを実現する。【構成】 活性層上に反射率が互いに相異する第1及び第2の回折格子を一体的に形成すると共に、反射率の低い回折格子及びこれに隣接する活性層の部分だけに電流を注入するように電極領域を形成する。このように構成すれば、反射率の低い回折格子及びこれと隣接する活性層の部分が光利得を有する活性領域として機能し、反射率の高い回折格子及びこれと隣接する部分が高反射率の反射器として機能する。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成した活性層と、この活性層上に互いに一体的に形成され、反射率が互いに相異する第1及び第2の回折格子領域と、反射率の低い第1の回折格子領域及びこれに隣接する活性層の部分にだけ電流を注入する電極領域とを具え、前記第1の回折格子領域及びこれと隣接する活性層の部分が光利得を有する活性領域として機能し、反射率の高い第2の回折格子領域及びこれと隣接する活性層の部分が活性領域で発生した光に対して受動反射器として作用するように構成したことを特徴とする分布反射型半導体レーザ。
IPC (2件)：
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