特許
J-GLOBAL ID:200903028173767770

チップ型サーミスタおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-268398
公開番号(公開出願番号):特開平10-116705
出願日: 1996年10月09日
公開日(公表日): 1998年05月06日
要約:
【要約】【課題】レーザーを用いることなく、抵抗値を調整し、抵抗値のばらつきが小さいチップ型サーミスタおよびその製造方法を提供することにある。【解決手段】チップ型サーミスタは、チップ型サーミスタ素体の両端部に端子電極を備えており、該端子電極は3層からなる第1の金属層と、該第1の金属層の上に、その端部がチップ型サーミスタ素体の表面に接触して形成された3層からなる第2の金属層とを備える。チップ型サーミスタの製造方法は、チップ型サーミスタ素体の両端部に、3層からなる第1の金属層を形成し、第1の金属層の上に、その端部がチップ型サーミスタ素体の表面に接触するように3層からなる第2の金属層を形成し、前記チップ型サーミスタ素体の常温抵抗値を調整する。
請求項(抜粋):
チップ型サーミスタ素体の両端部に端子電極を備えており、該端子電極は3層からなる第1の金属層と、該第1の金属層の上に、その端部がチップ型サーミスタ素体の表面に接触して形成された3層からなる第2の金属層と、を備えることを特徴とするチップ型サーミスタ。
IPC (4件):
H01C 7/04 ,  H01C 1/14 ,  H01C 7/00 ,  H01C 17/28
FI (4件):
H01C 7/04 ,  H01C 1/14 Z ,  H01C 7/00 B ,  H01C 17/28
引用特許:
審査官引用 (4件)
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