特許

J-GLOBAL ID：200903028178160173

光半導体素子およびその製造方法

発明者： 竹内 哲也 ,  山田 範秀 ,  天野 浩 ,  赤▲崎▼ 勇
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265311
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112029
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】高効率GaN系光半導体素子の構造とその製造方法の提供。【解決手段】本発明の光半導体素子は通常用いられる{0001}面の面方位±1°等とは異なる面方位への成長をおこなってピエゾ電界の少ない歪量子井戸を形成している。半導体層を多層用いる本発明の光半導体素子では歪量子井戸のみを前記面方位で成長させてもよい。

請求項（抜粋）：

歪量子井戸層を含む複数のGaN系半導体層を成長させて組立た半導体素子であって少なくとも該歪量子井戸層の成長面の面方位がピエゾ電界が最大となる方位とは異なることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-022602   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-022602   出願人：富士通株式会社