光半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022602
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235728
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】量子井戸構造を有する光半導体装置に関し、障壁層の中央の不純物から励起されたキャリアを井戸に効率良く注入するとともに、井戸からキャリアが溢れ難くすることを目的とする。【構成】圧電効果によって内部に電界が発生する歪層を有する障壁層を備えた量子井戸構造を含む。

請求項（抜粋）：

少なくとも一部に圧電効果により内部電界を生じさせる歪層(3,4)を有する障壁層(2)と井戸層(1)とからなる量子井戸構造を備えたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 29/06 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

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