特許

J-GLOBAL ID：200903028211366718

半導体基板の製造方法および製造装置

発明者： 日月 應治 ,  矢野 孝幸 ,  浜口 功 ,  中島 辰雄
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337894
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201975
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、シリコン基板に酸素イオンを注入することにより厚さ90nm以上の連続した埋め込み酸化膜と転位の数が103 個/cm2 未満の単結晶シリコン層からなる高品質なSOI型半導体基板を製造する方法を提供する。【構成】 一連の酸素イオン注入の逐一の平均注入深さと注入イオン量を連続的あるいは段階的に変え、酸素原子濃度分布が深さ方向には1つの極大値を有せしめ、一定深さ面内では均一にし、酸素原子濃度の最大値を好ましくは2.25×1022原子/cm3 以下かつ1.0×1022原子/cm3 以上とし、全酸素イオン注入量を得たい埋め込み酸化膜の厚さに4.48×1022をかけた量にし、さらに、埋め込み酸化膜形成のために1300°C以上の温度の熱処理を酸素イオン注入が終了した後に行うことにより高品質なSOI半導体基板が製造できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板にその主表面から酸素イオンを注入してSOI型の半導体基板を製造する方法において、該シリコン基板に注入された酸素原子の濃度の最大値が4.0×1022原子/cm3 以下かつ1.0×1022原子/cm3 以上となるように酸素イオンを注入することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 21/76 R ,  H01L 21/265 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-009940
  
• 特開平3-240230
  
• 特開昭63-104470
  
• 特開昭58-060556
  
• イオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-248806   出願人：日新電機株式会社