特許
J-GLOBAL ID:200903028222276648

半導体製造装置の温度検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 祥二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-341896
公開番号(公開出願番号):特開平7-169702
出願日: 1993年12月13日
公開日(公表日): 1995年07月04日
要約:
【要約】【目的】半導体製造装置の温度検出装置に於いて、ウェーハ温度測定値の安定時間を短縮し、又メンテナンス時の作業性を向上させる。【構成】気密な反応管1の周囲に被処理基板を加熱する加熱手段6を設け、前記反応管内に被処理基板5を載置する載置台2を設け、被処理基板の載置面下方に所要数の温度センサを設けたことにより、被処理基板の近傍での温度検出を可能とし、温度検出の応答性を向上させる。
請求項(抜粋):
気密な反応管の周囲に被処理基板を加熱する加熱手段を設け、前記反応管内に被処理基板を載置する載置台を設け、被処理基板の載置面下方に所要数の温度センサを設けたことを特徴とする半導体製造装置の温度検出装置。
IPC (4件):
H01L 21/205 ,  G01K 1/14 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/22 501
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る