半導体装置評価装置、半導体装置の評価方法および半導体評価デバイスのシミュレータ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮井暎夫 , 伊藤誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-366984
公開番号（公開出願番号）：特開2006-170923
出願日： 2004年12月20日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】半導体デバイスに対する熱ストレス耐性を、従来評価技術に対してより正確に評価することを実現する半導体評価装置等を提供する。【解決手段】半導体デバイス101を密閉した温度環境に保管する保存炉102と、保存炉102に装填された半導体デバイス101に微少電流の定電流を供給し、予め設定された時間間隔で半導体デバイス101にかかった電圧値、抵抗値および抵抗変動率を計測する計測装置104と、計測装置104の測定時間、電圧値、抵抗値および抵抗変動率をモニタするコンピュータ105とを備える。これにより、従来技術で課題となっていた温度サイクルを回避し、予め設定された計測時間間隔ごとに評価デバイスの劣化進行を正確にモニタでき、熱ストレスを正確に評価することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

評価デバイスを密閉した温度環境に保管する保存炉と、前記保存炉に装填された前記評価デバイスに電流を供給し、予め設定された計測時間間隔で前記評価デバイスにかかった電圧値、抵抗値および抵抗変動率を計測する計測システムと、前記計測システムの測定時間、電圧値、抵抗値および抵抗変動率を随時モニタするコンピュータとを備えた半導体評価装置。

IPC (5件)：

G01R 31/26 , G01R 31/30 , H01L 29/00 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (4件)：

G01R31/26 H , G01R31/30 , H01L29/00 , H01L21/88 Z

Fターム (17件)：

2G003AA07 , 2G003AC01 , 2G003AC04 , 2G003AD01 , 2G003AH05 , 2G132AB04 , 2G132AB14 , 2G132AC09 , 2G132AE00 , 2G132AL11 , 5F033HH11 , 5F033VV12 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW08 , 5F033XX06 , 5F033XX37

引用特許：

出願人引用 (1件)

ダマシン配線構造およびダマシン配線を有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-113286 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (5件)

マイグレーション検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-023849 出願人：日置電機株式会社
配線特性の試験方法及び試験試料
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-071267 出願人：日本電信電話株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-131886 出願人：株式会社東芝

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