誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120120
公開番号（公開出願番号）：特開平6-330297
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：

【要約】【目的】誘導体薄膜を形成する際に、直流スパッター法で成膜することが出来るスパッタリングターゲット。【構成】ターゲットを構成する金属酸化物が酸素欠損を有する酸化物であって、かつ電気抵抗率が10Ω・m以下であるスパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットを構成する酸化物はその構成元素中の酸素を減少させた酸素欠損の酸化物であって、電気抵抗率が10Ω・m以下であることを特徴とする誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01L 21/285

引用特許：

審査官引用 (10件)

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