特許
J-GLOBAL ID：200903028249169002

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
大力 浩二

大力 浩二 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-049592
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277406
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 本発明は、コストを抑えつつ、偽造または不正なデータの書き換えを防止しすることができ、集積回路の回路規模を抑えることなく機械的強度を高めることができる、半導体装置の提供を課題とする。【解決手段】 本発明のIDチップに代表される半導体装置は、結晶性が高い第1の領域と、第1の領域よりも結晶性が劣っている第2の領域との、2つの領域を有する薄膜の半導体膜を用いる。具体的には、薄膜の半導体膜のうち、第1の領域を用いて、高速動作が要求される回路のTFT(薄膜トランジスタ)を形成し、第2の領域を用いて、識別用のROMに用いられるメモリ素子を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の第1の薄膜トランジスタ及び複数の第2の薄膜トランジスタを有する集積回路と、前記集積回路に接続されたアンテナとを有し、 前記第2の薄膜トランジスタが有するソース領域またはドレイン領域のいずれか一方は、前記第2の薄膜トランジスタが有するゲート電極と接続されており、 前記複数の第1の薄膜トランジスタは、半導体膜のうち、第1の領域を用いており、 前記複数の第2の薄膜トランジスタは、前記半導体膜のうち、前記第1の領域とは異なる第2の領域を用いており、 前記第1の領域は前記第2の領域よりも結晶性が高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (16件)：
H01L21/336 ,  G06K19/07 ,  G06K19/073 ,  G06K19/077 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/112 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786
FI (14件)：
H01L29/78 627G ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/12 Z ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L27/10 433 ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 321C ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 K ,  G06K19/00 P
Fターム (155件)：
5B035AA13 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA23 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BD01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048DA25 ,  5F048DA30 ,  5F083CR20 ,  5F083HA02 ,  5F083HA08 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083LA03 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07 ,  5F083PR18 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB05 ,  5F110BB07 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F152AA06 ,  5F152BB02 ,  5F152CC01 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CD09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE03 ,  5F152CE04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE44 ,  5F152FF01 ,  5F152FF02 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF28 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG05 ,  5F152FG18 ,  5F152FG21 ,  5F152FH05 ,  5F152LP01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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