ダイナミックメモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平戸哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181178
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036318
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】メモリセルを1個のキャパシタと1個のトランジスタとで構成するダイナミックメモリに関し、ワード線の動作電圧マージンを広げ、しかも、データ保持時間として規格値を確保できるようにし、低電圧化に対応できるようにする。【解決手段】セルトランジスタをなすnMOSトランジスタ40のゲート電極45をP型ポリシリコン層で構成し、セルトランジスタをなすnMOSトランジスタ40を形成する領域へのしきい値電圧調整のためのボロンBのイオン打ち込み量を減らし、「0」データを記憶している場合のしきい値電圧として従来のしきい値電圧を確保し、バックバイアス依存係数を小さくする。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積用のキャパシタと、電荷転送用のnチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを有するメモリセルを備えてなるダイナミックメモリにおいて、前記電荷転送用のnチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極は、P型ポリシリコン層で構成され、前記メモリセルの動作を制御する周辺回路のnチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極は、N型ポリシリコン層で構成されていることを特徴とするダイナミックメモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , G11C 11/404 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (4件)：

H01L 27/10 681 F , G11C 11/34 352 C , H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 671 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-021858 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る