特許

J-GLOBAL ID：200903028283710316

プラズマ処理装置

発明者： 古川 良太 ,  岩下 展之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320941
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154599
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 電磁波の漏洩を減少させることができる基板のプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 接地されたベース部材1と、ベース部材1と当接して真空チャンバ6を構成し上部電極を兼ねた蓋部材5とを備えたプラズマ処理装置において、蓋部材5とベース部材1との当接部にシールドガスケット23を装着する。これにより、真空チャンバ6が閉じた状態ではシールドガスケット23が当接部の全面にわたってに密着し、蓋部材5とベース部材1が完全に導通して電位が等しくなり、プラズマ放電時の電磁波の漏洩を減少させることができる。

請求項（抜粋）：

接地されたベース部材と、このベース部材の開口部に装着された下部電極と、この下部電極の上方に配設され、ベース部材と当接して真空チャンバを構成する上部電極と、この真空チャンバ内を真空吸引する真空吸引手段と、前記真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマガス供給部と、前記下部電極に高周波電圧を印加する高周波電源とを備え、前記上部電極とベース部材との当接部に導電性を有するシールド部材を装着することによりプラズマ放電時の電磁波の漏洩を減少させることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05K 9/00

FI (5件)：

H05H 1/46 L ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05K 9/00 E ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-000720   出願人：大日本スクリーン製造株式会社