特許
J-GLOBAL ID:200903028288284404
半導体チップキャリヤ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-019708
公開番号(公開出願番号):特開平9-213835
出願日: 1996年02月06日
公開日(公表日): 1997年08月15日
要約:
【要約】【課題】 支持基板の一方の面に半導体チップが接続され、他方の面に配線基板が接続される半導体チップキャリヤに関し、実装密度を低下させることなくスイッチングノイズの低減及び信号反射の抑制を図ることを目的とする。【解決手段】 支持基板4の一方の面に接地層5及び電源層6からなる一対の金属膜とその間に挟まれた誘電体層7が積層されて成る薄膜キャパシタが形成され、他方の面に薄膜抵抗8が形成されるように構成する。
請求項(抜粋):
支持基板の一方の面に半導体チップが接続され、他方の面に配線基板が接続される半導体チップキャリヤにおいて、該支持基板の一方の面に接地層及び電源層からなる一対の金属膜とその間に挟まれた誘電体層が積層されて成る薄膜キャパシタが形成され、該支持基板の他方の面に薄膜抵抗が形成されていることを特徴とする半導体チップキャリヤ。
FI (2件):
H01L 23/12 B
, H01L 23/12 E
引用特許:
出願人引用 (9件)
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特開昭63-107129
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特開昭62-265732
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特開昭59-178768
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特開昭59-094441
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薄膜多層回路基板用ベース基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-153079
出願人:住友金属工業株式会社
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半導体チップキャリアおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-342718
出願人:株式会社日立製作所
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特開平4-139711
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特開平3-258101
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特開平1-114003
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審査官引用 (4件)