特許
J-GLOBAL ID：200903028312144007

記憶素子及び記憶装置

発明者：
荒谷 勝久

荒谷 勝久 について

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河内山 彰

河内山 彰 について

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水口 徹也

水口 徹也 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-361755
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173267
出願日： 2004年12月14日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 情報の記録等の動作を安定して行うことができ、熱に対しても安定した構成の記憶素子を提供する。【解決手段】 第1の電極2と第2の電極6との間に、記憶層4及びイオン源層3が挟まれて構成され、イオン源層3に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素と、Te,S,Seから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、記憶層4が、タンタル酸化物、ニオブ酸化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物のいずれか、或いはそれらの混合材料から成る記憶素子10を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と第2の電極との間に、記憶層及びイオン源層が挟まれて構成され、 前記イオン源層に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素と、Te,S,Seから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、 前記記憶層が、タンタル酸化物、ニオブ酸化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物のいずれか、或いはそれらの混合材料から成る ことを特徴とする記憶素子。
IPC (1件)：
H01L 27/10
FI (1件)：
H01L27/10 451
Fターム (14件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA57 ,  5F083JA60 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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