特許
J-GLOBAL ID：200903028314290949

半導体デバイス

発明者：
川崎 雅司

川崎 雅司 について

, 
大野 英男

大野 英男 について

, 
鯉沼 秀臣

鯉沼 秀臣 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 橋爪 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-264885
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076356
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 3d遷移金属元素をドープした酸化亜鉛等の透明チャネル層を用い、熱処理を不要とした透明なトランジスタを提供する。【解決手段】 チャネル層11は、例えば、3d遷移金属元素をドープした酸化亜鉛ZnO等の透明な半導体で形成される。ソース12、ドレイン13又はゲート14は、各々の内、全部又は一部に透明電極が用いられる。透明電極としては、例えば、III族元素等をドープした導電性ZnO等の透明導電性材料が用いられる。ゲート絶縁層15としては、例えば、1価の価数を取りうる元素又はV族元素又は3d遷移金属元素をドープした絶縁性ZnO等の透明絶縁性材料が用いられる。基板16は、熱処理と比較的弱い材料、例えば、プラスティック、ポリエチレン、ポリマーフィルム等を用いることができる。
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛ZnO、酸化カドミウムCdO、ZnOにIIB元素若しくはIIA元素若しくはVIB元素を加えた化合物又は混合物の内いずれかを用い、3d遷移金属元素又は希土類又は透明半導体の透明性を失わせずに高抵抗にする不純物をドープした透明チャネル層と、III族元素若しくはVII族元素若しくはI族元素若しくはV族元素のいずれかをドープした若しくはドープしない導電性ZnO等の透明導電性材料、In2O3若しくはSnO2若しくは(In-Sn)Oxなどの透明導電体、又は、透明でない電極材料を、その全部又は一部に用いた、ソース及びドレイン及びゲートと、前記透明チャンネル層が形成されるための絶縁性基板を備えた半導体デバイス。
IPC (12件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/8229 ,  H01L 27/102 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 33/00 ,  H01L 41/08 ,  H01S 5/026
FI (11件)：
G02F 1/1333 500 ,  H01L 33/00 J ,  H01S 5/026 ,  H01L 29/78 618 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/10 331 ,  H01L 27/10 615 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/72 ,  H01L 41/08 D
Fターム (68件)：
2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H092JA28 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KA19 ,  2H092KB14 ,  2H092MA26 ,  2H092MA27 ,  2H092NA22 ,  2H092PA01 ,  5F003BA92 ,  5F003BH05 ,  5F003BM04 ,  5F003BP08 ,  5F003BP23 ,  5F041BB26 ,  5F041CA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041CB33 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F073AB14 ,  5F073AB16 ,  5F073BA09 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073GA38 ,  5F083AD14 ,  5F083AD70 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA31 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110NN72
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM