特許
J-GLOBAL ID：200903028321380490
酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006379
公開番号（公開出願番号）：特開平10-204684
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月04日
要約：
【要約】【課題】 電析による酸化亜鉛薄膜の形成を安定化し、かつ基板密着性、均一性に優れた製造方法を提供するものである。とくに、光起電力素子の光閉じ込め層に適用するのに好適な酸化亜鉛薄膜とする。【解決手段】 少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に浸漬された導電性基体と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法であって、前記水溶液を高速流動させる。
請求項（抜粋）：
長尺導電性基体と対向電極との間隙に少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液を長尺基体の長手方向に高速に流動させ、前記導電性基体と前記対向電極との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
