特許
J-GLOBAL ID：200903028346533231
絶縁型電源装置および電源制御用半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-199041
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048820
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】同期制御用MOSFETがオンされたまま制御が停止されて2次側のLC回路が共振を起こし、同期制御用MOSFETが破壊されるおそれのない信頼性の高い絶縁型DC-DCコンバータを提供する。【解決手段】電圧変換用トランス(T1)を有し該トランスの1次側コイルを駆動するトランジスタ(M1〜M4)および2次側の同期制御用トランジスタ(M5,M6)を共通の制御回路(20)で制御する絶縁型DC-DCコンバータにおいて、上記共通制御回路をトランスの2次側に配置して、1次側接地電位(GND1)ではなく2次側接地電位(GND2)を与えて動作させるとともに、1次側駆動トランジスタには絶縁型信号伝達手段を介して制御信号を供給するように構成した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電圧変換用トランスと、
該トランスの1次側コイルに流れる電流をスイッチングして交流駆動するスイッチング回路と、
前記トランスの2次側コイルの一方の端子と基準電位端子との間に接続され前記スイッチング回路のスイッチング動作と同期してオン、オフ制御される同期制御用トランジスタを含み、該同期制御用トランジスタのオン期間の割合が50%以上となるように制御されて2次側コイルに流れる電流を整流して直流電圧を出力する整流回路と、
該整流回路で整流された電圧を平滑する容量素子と、
前記スイッチング回路を制御する第1制御信号および前記同期制御用トランジスタをオン、オフ制御する第2制御信号を生成する制御回路と、
を備え、前記制御回路で生成された前記第1制御信号が絶縁型信号伝達手段を介して前記スイッチング回路へ供給されるように構成され、前記電圧変換用トランスの1次側の回路の基準電位と2次側の回路の基準電位とが絶縁され、前記制御回路は2次側の基準電位を動作基準として動作するようにされてなることを特徴とする絶縁型電源装置。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H02M3/28 F
, H02M3/28 B
, H02M3/28 C
, H02M3/28 X
5H730AA20
, 5H730BB27
, 5H730DD04
, 5H730EE13
, 5H730FD01
, 5H730XC14
, 5H730XX15
, 5H730XX23
