特許
J-GLOBAL ID:200903028363351015
フリップチップ型半導体装置のアンダーフィル材による封止方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-064304
公開番号(公開出願番号):特開2000-260820
出願日: 1999年03月11日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【解決手段】 基板の配線パターン面に複数個のバンプを介して半導体チップが搭載され、上記基板と半導体チップとの間の隙間にアンダーフィル材を充填し、封止するに際し、上記アンダーフィル材として、(A)液状エポキシ樹脂、(B)無機質充填剤、(C)硬化剤を必須成分とする液状エポキシ樹脂組成物を使用し、このアンダーフィル材を上記隙間に60〜120°Cで侵入させて封止し、次いで半導体装置を2°C/分〜8°C/分で上記アンダーフィル材の硬化温度まで昇温させ、更に140〜170°Cで1〜5時間硬化させることを特徴とするフリップチップ型半導体装置のアンダーフィル材による封止方法。【効果】 本発明によれば、アンダーフィル封止材の剥離、クラック、ボイドがなく、反りの小さいフリップチップ型半導体装置が得られる。
請求項(抜粋):
基板の配線パターン面に複数個のバンプを介して半導体チップが搭載され、上記基板と半導体チップとの間の隙間にアンダーフィル材を充填し、封止するに際し、上記アンダーフィル材として、(A)液状エポキシ樹脂、(B)無機質充填剤、(C)硬化剤を必須成分とする液状エポキシ樹脂組成物を使用し、このアンダーフィル材を上記隙間に60〜120°Cで侵入させて封止し、次いで半導体装置を2°C/分〜8°C/分で上記アンダーフィル材の硬化温度まで昇温させ、更に140〜170°Cで1〜5時間硬化させることを特徴とするフリップチップ型半導体装置のアンダーフィル材による封止方法。
IPC (4件):
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, C08K 3/00
, C08L 63/00
FI (4件):
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 E
, C08K 3/00
, C08L 63/00 C
Fターム (30件):
4J002CD031
, 4J002CD041
, 4J002CD051
, 4J002CD061
, 4J002CD131
, 4J002DE077
, 4J002DE147
, 4J002DF017
, 4J002DJ017
, 4J002EL136
, 4J002EN026
, 4J002EN066
, 4J002EQ026
, 4J002ER026
, 4J002EU116
, 4J002EU136
, 4J002FD017
, 4J002FD146
, 4J002FD156
, 4J002GQ05
, 5F044KK01
, 5F044LL01
, 5F044LL07
, 5F044RR17
, 5F044RR19
, 5F061AA01
, 5F061AA02
, 5F061BA04
, 5F061CA05
, 5F061CB03
引用特許:
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