多層配線基板

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-076410
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013491
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】発熱量の大きい超高速素子を実装した場合でも、電気・熱の両特性面で優れた性能を呈する多層配線基板を提供すること。【構成】窒化アルミニウムセラミック基板と、セラミック基板上に、一体的に配設された有機高分子を電気絶縁体層とする多層配線層と、前記多層配線層の表面に設けられた電子部品搭載・実装用ダイパッドと、および前記ダイパッドに一端が接続し、他端側が前記多層配線層を電気的に絶縁された状態で貫通して、少なくともセラミック配線基板まで延長して設けられた、搭載する電子部品において発生する熱を効率的に放熱するための柱状のサーマルビアからなる多層配線基板。

請求項（抜粋）：

セラミック基板と、このセラミック基板の第1の面に配設された有機高分子の電気絶縁体層の内部に配線が形成されている薄膜配線層と、この薄膜配線層の表面に設けられた電子部品と、この電子部品に一端が接続し、他端が前記薄膜配線層を電気的に絶縁された状態で貫通して、少なくとも前記セラミック基板まで延設された柱状のサーマルビアと、前記セラミック基板の第1の面と反対の第2の面上に設けられたヒートシンクとを具備してなることを特徴とする多層配線基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 23/36

FI (4件)：

H01L 23/12 N , H01L 23/12 J , H01L 23/12 F , H01L 23/36 D

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平3-106061
半導体放熱構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-241353 出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

特開平3-106061
半導体放熱構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-241353 出願人：沖電気工業株式会社

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