特許
J-GLOBAL ID：200903028376455650
窒化ガリウム系半導体電極構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-084836
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320120
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】窒化ガリウム系半導体素子における電極の剥離を防止する。【解決手段】最表面層が第1導電型の第1の半導体層である基板結晶上に形成されたストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクと、マスクのストライプ状の開口部に選択的に形成された一般式Inp Alq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦p+q≦1)で表される半導体層を含む活性層と、活性層上の一般式Inu Alv Ga1-u-v N(0≦u≦1、0≦v≦1、0≦u+v≦1)で表される第2導電型半導体層を少なくとも1層含む第2の半導体層とを有する窒化ガリウム系発光素子において、第1の半導体層の結晶構造が六方晶であり、その表面が(0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面であり、マスクのストライプ方向を第1の半導体層の[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内である方向に形成する。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系半導体層と、前記窒化ガリウム系半導体層上に形成された絶縁体マスクと、前記絶縁体マスク上に形成された多結晶AlGaNと、前記多結晶AlGaN領域の表面に形成された電極とを有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体電極構造。
IPC (4件)：
H01S 5/02
, H01L 29/43
, H01S 5/22
, H01S 5/343
H01S 5/02
, H01S 5/22
, H01S 5/343
, H01L 29/46 H
