特許

J-GLOBAL ID：200903093394007629

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 仁道 正明 ,  木村 明隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228912
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058981
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 発振しきい値電流が小さく、基本横モード発振し、かつ抵抗が小さい窒化ガリウム系発光素子を簡単な製造工程で得られる構造を提供する。【解決手段】 最表面層が第1導電型の第1の半導体層である基板結晶上に形成されたストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクと、マスクのストライプ状の開口部に選択的に形成された一般式Inp Alq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦p+q≦1)で表される半導体層を含む活性層と、活性層上の一般式Inu Alv Ga1-u-v N(0≦u≦1、0≦v≦1、0≦u+v≦1)で表される第2導電型半導体層を少なくとも1層含む第2の半導体層とを有する窒化ガリウム系発光素子において、第1の半導体層の結晶構造が六方晶であり、その表面が(0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面であり、マスクのストライプ方向を第1の半導体層の[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内である方向に形成する。

請求項（抜粋）：

一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成され[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内である方向のストライプ状の開口部を持つ絶縁体電流狭窄層と、前記絶縁体電流狭窄層をマスクとして前記開口部と一部の絶縁体電流狭窄層上に、選択成長により形成された一般式Inp Alq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦p+q≦1)で表される第2の半導体層と、選択成長により形成された前記第2の半導体層を埋め込む一般式Inm Aln Ga1-m-n N(0≦m≦1、0≦n≦1、0≦m+n≦1)で表される第3の半導体層を有し、前記第1の半導体層、第2の半導体層又は第3の半導体層がダブルへテロ構造の少なくとも一部を構成し、光出射方向が前記開口部のストライプ方向であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (35件)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA61 ,  5F045DB02 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-151302   出願人：株式会社日立製作所
• 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-343125   出願人：日本電気株式会社