半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053737
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288522
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】アクティブマトリクス型の液晶表示装置においてフレキシビリティーのあるものを提供する。【構成】ガラス基板101上に薄膜トランジスタを形成し、アクリル樹脂等でなる封止層119を介して透光性を有し、かつ可撓性を有する樹脂基板120を接着する。そして、ガラス基板101を剥離することにより、可撓性を有する樹脂基板120上に薄膜トランジスタが形成された構成を得る。こうして、可撓性を有した樹脂基板を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置用のパネルを得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1の基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜を結晶化させ結晶性珪素膜を得る工程と、前記結晶性珪素膜を用いて薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタを封止する層を形成する工程と、前記封止する層に透光性を有する第2の基板を接着する工程と、前記第1の絶縁膜を除去し、前記第1の基板を剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 626 C , H01L 27/12 R , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 627 G

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-048531 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体回路およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-067982 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-178633

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審査官引用 (4件)

半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-048531 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体回路およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-067982 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-178633

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