特許

J-GLOBAL ID：200903028394596130

洗浄薬液

発明者： 國分 勝則
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185448
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031781
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 ウェット洗浄によってウエハ表面の金属汚染と表面酸化膜中の汚染物質とを除去する際に、ウエハ表面の活性化を抑えてウエハ表面の清浄度を向上させる。【構成】 洗浄薬液を、塩酸を含む希フッ酸溶液に過酸化水素を添加した構成にする。これによって、洗浄薬液を用いてシリコンウエハを洗浄した場合に、塩酸による金属の溶解とフッ酸によるウエハ表面の自然酸化膜のエッチングと過酸化水素によるウエハ表面の酸化とを同時に進行させ、ウエハ表面から金属及び自然酸化膜中の汚染物質を除去すると共に、洗浄したウエハ表面の活性化を抑制する。

請求項（抜粋）：

塩酸を含む希フッ酸溶液に過酸化水素を添加してなることを特徴とする洗浄薬液。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/308

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウェーハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-333700   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-208899