特許
J-GLOBAL ID：200903028410678079
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-045338
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210942
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【目的】レーザ溶接で制御端子を接続する半導体装置において、レーザ溶接部が絶縁回路基板に到達しない半導体装置およびその製造方法を提供する【解決手段】半導体チップ4の制御電極パッド5と絶縁回路基板の外部電極パッド3とをリードフレーム14で接続し、このリードフレーム14に制御端子15をレーザ溶接にて接合することによって、レーザ溶接部16が絶縁回路基板のセラミックス1に到達するのを防止して、溶接バラツキによる絶縁回路基板の絶縁耐圧不良とスパッタ飛散による電気的短絡不良を防止することができ、製造歩留まりを向上できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外部電極パッドを有する絶縁回路基板と、該絶縁回路基板上に固着し制御電極パッドを有する半導体チップとを具備する半導体装置において、前記外部電極パッドと前記制御電極パッドとを互いに接続する接続導体板と、該接続導体板にレーザ溶接で固着される制御端子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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