特許

J-GLOBAL ID：200903028422263354

チタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法

発明者： 宮浦 智子
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-141148
公開番号（公開出願番号）：特開2007-308782
出願日： 2006年05月22日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】鉛の不足がないチタン酸ジルコン酸鉛膜を安定して製造するためのチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法を提供する。【解決手段】RFマグネトロンスパッタリング法により、チタン酸ジルコン酸鉛を原料とするターゲットを用いて、基板の上にチタン酸ジルコン酸鉛の膜を製造するチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記基板加熱工程で加熱した基板温度を維持し、前記RFマグネトロンスパッタリング法により前記基板の上に成膜するためのスパッタ成膜工程と、を有し、前記スパッタ成膜工程では、雰囲気ガスの中に鉛を含むガスを導入する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

RFマグネトロンスパッタリング法により、チタン酸ジルコン酸鉛を原料とするターゲットを用いて、基板の上にチタン酸ジルコン酸鉛の膜を製造するチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法において、 前記基板を加熱するための基板加熱工程と、 前記基板加熱工程で加熱した基板温度を維持し、前記RFマグネトロンスパッタリング法により前記基板の上に成膜するためのスパッタ成膜工程と、を有し、 前記スパッタ成膜工程では、雰囲気ガスの中に鉛を含むガスを導入することを特徴とするチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法。

IPC (7件)：

C23C 14/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/18 ,  H01L 21/316 ,  H01L 41/22

FI (6件)：

C23C14/08 K ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101Z ,  H01L21/316 Y ,  H01L41/22 Z

Fターム (24件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA08 ,  5F058BA11 ,  5F058BB05 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BF27 ,  5F058BF36 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 強誘電体薄膜素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-043507   出願人：松下電器産業株式会社