処理金属半導体粒子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-362467
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203360
出願日： 2004年12月15日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】本発明の目的は、水熱合成によって提供される酸化チタンペーストが有する量産性、品質の再現性、製造時の安全性、コスト面、高酸性等の課題を克服する金属半導体粒子を提供することである。さらには、粒子径100nm以下の粉体金属酸化物半導体粒子を、1次粒子径近くまで良好に分散させた金属酸化物半導体分散ペーストを提供することにある。【解決手段】平均粒子径100nm以下の金属半導体粒子と、下記一般式(1)で示される部分構造を含む金属原子錯体とを含水率10重量%以下の溶剤中で接触させることを特徴とする処理金属半導体粒子の製造方法。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

平均粒子径100nm以下の金属半導体粒子と、下記一般式(1)で示される部分構造を含む金属原子錯体とを含水率10重量%以下の溶剤中で接触させることを特徴とする処理金属半導体粒子の製造方法。一般式(1)

IPC (3件)：

H01M14/00 , H01L27/146 , H01L31/04

FI (3件)：

H01M14/00 P , H01L31/04 Z , H01L27/14 A

Fターム (44件)：

4G047AA02 , 4G047AB05 , 4G047AC03 , 4G047AD02 , 4G047AD03 , 4G047AD04 , 4G047CA02 , 4G047CB09 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G047CD03 , 4G047CD04 , 4G048AA02 , 4G048AB04 , 4G048AC08 , 4G048AD02 , 4G048AD03 , 4G048AD04 , 4G048AE05 , 4M118AA01 , 4M118BA01 , 4M118CA14 , 4M118CA23 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118HA02 , 4M118HA11 , 4M118HA25 , 4M118HA26 , 5F051AA14 , 5F051BA14 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032BB02 , 5H032BB04 , 5H032BB05 , 5H032CC16 , 5H032EE02 , 5H032EE07 , 5H032EE12 , 5H032EE20 , 5H032HH01 , 5H032HH04

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許4927721号明細書

審査官引用 (4件)

光電変換膜、光電変換用電極、および光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-262466 出願人：ティーディーケイ株式会社
光電変換素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-030014 出願人：日本電気株式会社
光電変換素子および光電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-177211 出願人：富士写真フイルム株式会社

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