特許

J-GLOBAL ID：200903028443864404

光電変換装置

発明者： 菅原 信 ,  京田 豪 ,  有宗 久雄
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130855
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313399
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】 従来の結晶質半導体粒子を用いた光電変換装置は高コスト且つ低変換効率であった。【解決手段】 基板上に第一導電形の結晶質半導体粒子を多数配置し、この結晶質半導体粒子上に第二導電形の半導体層を形成し、この第二導電形の半導体層と上記基板との間に絶縁体を介在させた光電変換装置において、上記第二導電形の半導体層を結晶質半導体層で形成した。

請求項（抜粋）：

基板上に第一導電形の結晶質半導体粒子を多数配置し、この結晶質半導体粒子上に第二導電形の半導体層を形成し、この第二導電形の半導体層と前記基板との間に絶縁体を介在させた光電変換装置において、前記第二導電形の半導体層を結晶質半導体層で形成したことを特徴とする光電変換装置。

Fターム (11件)：

5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051BA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051EA18 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶太陽電池およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-133496   出願人：キヤノン株式会社
• 太陽電池の製造方法及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-121921   出願人：株式会社三井ハイテック