特許
J-GLOBAL ID:200903028454022430
塩化水素、塩素含有エッチャントおよび窒素を使用するアルミニウムおよびその合金のエッチング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-020506
公開番号(公開出願番号):特開平6-295886
出願日: 1994年02月17日
公開日(公表日): 1994年10月21日
要約:
【要約】【目的】 良好な選択比、減少されたエッチング断面形状の細密充填(microloading)、および実質的に異方性エッチングをもたらすアルミニウムおよびその合金のエッチング方法を提供すること。【構成】 アルミニウム部がレジスト材料によって保護されている基板からアルミニウムをエッチングする方法。基板は、チャンバの中に置かれ、HCl、塩素含有エッチャントおよびN2 を含むプロセスガスが該チャンバ中に導入される。プラズマがこのチャンバ内に発生し、この基板からアルミニウムを高速でエッチングするエッチングガスがこのプロセスガスから発生し、良好な選択比と、減少されたエッチング断面形状の細密充填と、実質的に異方性エッチングとを提供する。
請求項(抜粋):
(a) アルミニウムを含む(comprising)材料層をその上に有する基板をチャンバの中に配置するステップと、(b) HClと、塩素含有エッチャントと、N2 とを含むプロセスガスを前記チャンバ中に導入するステップと、(c) 前記チャンバ中にプラズマを発生させ、前記基板からアルミニウムをエッチングして揮発性のアルミニウム含有化合物を与えるエッチングガスを、前記プロセスガスから発生させるステップと、(d) 前記揮発性のアルミニウム含有化合物をチャンバから除去するステップとを含む基板からアルミニウム含有材料を除去する方法。
引用特許:
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