特許
J-GLOBAL ID：200903028455742169
銅合金配線膜形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成した熱影響を受けることの少ない銅合金配線膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-043081
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243325
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】LSIなどの半導体装置における内部配線膜を形成するための銅合金配線膜形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成された熱影響を受けることの少ないウエハ内部配線膜を提供する。【解決手段】ZnおよびAgの内の1種または2種を合計で0.1〜2原子%添加し、さらに必要に応じてV,Cr,Nb,Mo,TaおよびWの内の1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる配線膜形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成した薄膜。
請求項（抜粋）：
ZnおよびAgの内の1種または2種を合計で0.1〜2原子%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなることを特徴とする銅合金配線膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, C22C 9/04
, C23C 14/34
, H01L 21/28 301
H01L 21/285 S
, C22C 9/04
, C23C 14/34 A
, H01L 21/28 301 Z
4K029BA21
, 4K029BD02
, 4K029DC04
, 4K029DC08
, 4M104BB04
, 4M104DD40
