特許
J-GLOBAL ID:200903087450464531

金属材料、薄膜形成用スパッタリングターゲット材及び薄膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-267822
公開番号(公開出願番号):特開2002-069550
出願日: 2000年09月04日
公開日(公表日): 2002年03月08日
要約:
【要約】【課題】 耐候性の改善、スパッタリングターゲットとして使用する場合のスパッタリング工程における安定性及び簡易性を図った合金材及び薄膜を得る。【解決手段】 Cuに、Agが、0.3〜10.0重量%含有されたCuAg合金に、耐食性向上材料として、例えばTiであれば0.01〜5.0重量%含有されてなる合金を薄膜形成用スパッタリングターゲット材とし、これにより薄膜を作製する。
請求項(抜粋):
Cu(銅)を主成分として、Cuを99.7〜85.0重量%含有し、それにAg(銀)を添加して更に耐食性向上を目的とする添加元素を含有されてなる少なくとも3元素以上の金属材料。
IPC (5件):
C22C 9/00 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (5件):
C22C 9/00 ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z
Fターム (13件):
4K029BA21 ,  4K029BC01 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4M104BB04 ,  4M104DD40 ,  4M104HH20 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD28 ,  5F103RR10
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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