特許

J-GLOBAL ID：200903028468532112

アクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法

発明者： 津田 昭仁
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-307691
公開番号（公開出願番号）：特開2007-116002
出願日： 2005年10月21日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】圧電素子を備えたアクチュエータ装置において、酸化ジルコニウム膜が接する他の膜との間での剥離を防止可能な、アクチュエータ装置の製造方法を提供する。【解決手段】アクチュエータ装置の製造方法において、酸化シリコン膜上に酸化ジルコニウム膜を形成する工程と、酸化ジルコニウム膜に、酸化ジルコニウム膜と下電極に対して密着性を有する金属をイオン注入する工程と、金属がイオン注入された層を熱処理する工程と、金属がイオン注入された酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、を備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコン基板の一方面側に振動板となる酸化膜を形成し、当該振動板を介して下電極、圧電体膜及び上電極からなる圧電素子を所定のパターンで形成してなるアクチュエータ装置の製造方法において、 前記基板上に酸化シリコン膜を形成する工程と、 前記酸化シリコン膜上に酸化ジルコニウム膜を形成する工程と、 前記酸化ジルコニウム膜に、当該酸化ジルコニウム膜と前記下電極に対して密着性を有する金属をイオン注入する工程と、 前記金属がイオン注入された層を熱処理する工程と、 前記金属がイオン注入された前記酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、 前記下電極上に圧電体膜を形成する工程と、 前記圧電体膜上に上電極を形成する工程と、 を備える、アクチュエータ装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H02N 2/00 ,  B41J 2/16

FI (9件)：

H01L41/22 Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H02N2/00 B ,  B41J3/04 103H

Fターム (8件)：

2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG42 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP24 ,  2C057AP34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 圧電体薄膜素子、その製造方法、及び圧電体薄膜素子を用いたインクジェット式記録ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-245353   出願人：セイコーエプソン株式会社