特許
J-GLOBAL ID：200903008102861511

圧電体薄膜素子、その製造方法、及び圧電体薄膜素子を用いたインクジェット式記録ヘッド

発明者：
島田 勝人

島田 勝人 について

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亀井 宏行

亀井 宏行 について

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高橋 哲司

高橋 哲司 について

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邱 宏

邱 宏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-245353
公開番号（公開出願番号）：特開平10-081016
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 製造中に膜内にクラックの発生がなく、高い圧電ひずみ定数を有するとともに、下電極との密着性が良好である圧電体薄膜を提供するとともに、この圧電体薄膜を振動子として備えたインクジェト式記録ヘッドを提供する。【解決手段】 多結晶体からなるPZT膜14と、PZT膜を挟んで配置される上電極16と下電極12と、を備えた圧電体薄膜素子であって、PZT膜の結晶体の粒界を、電極面に対して略垂直方向に存在させる。また、このPZT膜結晶体の配向を所望のものに制御する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された金属膜と、この金属膜上に形成された、チタン酸ジルコン酸鉛に第3成分を加えたPZT薄膜と、を備えた圧電体薄膜素子において、前記PZT薄膜は菱面体晶系の結晶構造を備え、かつ、その結晶構造の、X線回折薄膜法で測定した(100)配向度が、30%以上であることを特徴とする圧電体薄膜素子。
IPC (5件)：
B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22
FI (4件)：
B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (9件)
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