特許

J-GLOBAL ID：200903028503169115

光半導体素子、該光半導体素子を用いた波長可変光源および光断層画像取得装置

発明者： 大郷 毅
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-212788
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049123
出願日： 2007年08月17日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】製造容易で広帯域な利得スペクトル幅を有する光半導体素子を提供する。【解決手段】素子内における光の共振が抑制され、n-GaAs基板11上に、少なくともInGaP下部クラッド層とInGaAs活性層が積層されている光半導体素子10において、n-GaAs基板11として面方位が(100)面から(111)B面方向に2度以上10度以下の角度、たとえば3度傾斜しているn-GaAs基板を用いる。InGaP下部クラッド層のステップバンチングが形成され、InGaAs活性層の層厚にばらつきが生じる。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

素子内における光の共振が抑制されている光半導体素子であって、 GaAs基板上に、少なくともInGaP下部クラッド層とInGaAs活性層が積層され、 前記GaAs基板の面方位が(100)面から(111)B面方向に2度以上10度以下の角度で傾斜していることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 5/50 ,  H01S 5/14 ,  G01B 11/24

FI (3件)：

H01S5/50 610 ,  H01S5/14 ,  G01B11/24 D

Fターム (41件)：

2F065AA52 ,  2F065DD04 ,  2F065FF52 ,  2F065GG06 ,  2F065GG07 ,  2F065GG25 ,  2F065HH04 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL02 ,  2F065LL10 ,  2F065LL12 ,  2F065LL15 ,  2F065LL22 ,  2F065LL42 ,  2F065LL62 ,  2F065MM15 ,  2F065MM25 ,  2F065MM28 ,  2F065NN06 ,  2F065PP05 ,  2F065QQ03 ,  2F065SS13 ,  2F065UU01 ,  2F065UU07 ,  5F173AA06 ,  5F173AB33 ,  5F173AB44 ,  5F173AB46 ,  5F173AB49 ,  5F173AF04 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH03 ,  5F173AP05 ,  5F173AP13 ,  5F173AP24 ,  5F173AR01 ,  5F173AR06 ,  5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-109731   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体光デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-359673   出願人：三菱電機株式会社