特許
J-GLOBAL ID：200903028507336830
グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱CVD装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380414
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180253
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：
【要約】【課題】 基板に対する加熱効率を高めると共に、膜厚分布の均一なグラファイトナノファイバー薄膜の形成を可能とする熱CVD装置の提供。【解決手段】 成膜室12の上部に、基板Sに対向して赤外線ランプ17を設け、基板ホルダー16及び基板ホルダー載置用支柱121をSiC製とすると共に、該成膜室の内壁12aを鏡面仕上げし、さらに該成膜室の外壁12bを冷却可能とする。また、該基板の高さ位置より下側で、基板をその外周の近傍で囲繞するようにガス噴射ノズル手段を設け、このノズル手段の内部にガス流路を設けると共に、その上面に、ガス流路に連通する複数のガス噴射口を列設し、ガスの導入を該ノズル手段を介して行う。
請求項（抜粋）：
真空チャンバーの上部に、被処理基板に対向して加熱手段が設けられ、該加熱手段で被処理基板を加熱しつつ、真空チャンバー内に炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスを導入することで、該基板上にグラファイトナノファイバー薄膜を形成する熱CVD装置において、該被処理基板を装着するための基板ホルダー及び該真空チャンバーの底面に設けられた基板ホルダー載置用支柱としてSiC製のものを用い、該加熱手段からの熱線を反射するように真空チャンバーの内壁が鏡面仕上げされていると共に、真空チャンバーの壁面を冷却する冷却手段が真空チャンバーに付設されており、該被処理基板の高さ位置より下側で、該被処理基板をその外周の近傍で囲繞するようにガス噴射ノズル手段が設けられ、真空チャンバー外部のガス源に接続された該ガス噴出ノズル手段は、その内部にガス流路を有すると共に、その上面に、ガス流路に連通する複数のガス噴射口が列設されており、該混合ガスの導入が該ガス噴射ノズル手段を介して行われることを特徴とする熱CVD装置。
IPC (4件)：
C23C 16/26
, C01B 31/02 101
, C23C 16/46
, B82B 3/00
C23C 16/26
, C01B 31/02 101 F
, C23C 16/46
, B82B 3/00
4G046CA02
, 4G046CB01
, 4G046CB03
, 4G046CC06
, 4K030AA05
, 4K030AA14
, 4K030BA27
, 4K030BB01
, 4K030CA06
, 4K030EA04
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030KA22
, 4K030KA46
