特許

J-GLOBAL ID：200903028510345565

金属酸化薄膜の形成方法及び反射防止フィルム

発明者： 下西 弘二
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417179
公開番号（公開出願番号）：特開2005-171373
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】熱・水分・光などによる膜厚変化が小さくて光学特性等が良好な酸化珪素薄膜等の金属酸化薄膜を形成する。【解決手段】常圧プラズマCVDにて金属酸化薄膜を形成するにあたり、金属化合物ガスと希釈ガスとの混合ガスに対し、パーフルオロカーボンガス、フッ化窒素ガス、硫化フッ素ガスまたはフッ素ガスの少なくとも1種類のガスを含むフッ素系ガスを1〜20体積%配合した複合ガスを原料ガスとして用いて基材上に金属酸化膜を形成する。また、このような方法を用いて、基材フィルム上に酸化珪素薄膜を成膜することで反射防止フィルムの低屈折率膜を得る。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

常圧プラズマCVD法によって金属酸化薄膜を形成する方法であって、金属化合物ガスと希釈ガスとの混合ガスに対し、パーフルオロカーボンガス、フッ化窒素ガス、硫化フッ素ガスまたはフッ素ガスの少なくとも1種類のガスを含むフッ素系ガスを1〜20体積%配合した複合ガスを原料ガスとして用いて基材上に金属酸化膜を形成することを特徴とする金属酸化薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C16/40 ,  C23C16/515 ,  G02B1/11

FI (3件)：

C23C16/40 ,  C23C16/515 ,  G02B1/10 A

Fターム (12件)：

2K009AA02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA20 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030GA14 ,  4K030JA06 ,  4K030LA24

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特公平2-48626号公報
  
• 特開平4-74525号公報
  
• 表面処理品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-045393   出願人：積水化学工業株式会社
• 放電プラズマを利用したSiO2薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226571   出願人：積水化学工業株式会社