炭化けい素ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304945
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133819
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】SiCショットキーバリアダイオードの逆方向もれ電流を低減する。【解決手段】n- 高抵抗層3上に、この層よりキャリア濃度の低いn- - 中間層2を形成し、その表面にショットキー電極1を設ける。n- - 中間層2のキャリア濃度を1×1015〜1×1016cm-3、厚さを10nm〜1μmとする。

請求項（抜粋）：

炭化けい素結晶を用いた炭化けい素ショットキーバリアダイオードにおいて、高キャリア濃度の炭化けい素基板上に、炭化けい素からなる低キャリア濃度の高抵抗層と、その高抵抗層上に同じ導電型で更に低キャリア濃度の薄い中間層とを有し、炭化けい素基板にオーミック電極を、中間層表面にショットキー電極をそれぞれ設けたことを特徴とする炭化けい素ショットキーバリアダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/872 , H01L 29/16

FI (3件)：

H01L 29/48 F , H01L 29/16 , H01L 29/48 D

Fターム (6件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104GG18

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭52-008779
特開平2-109364
特開昭62-229877

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