特許

J-GLOBAL ID：200903002075180509

SiCショットキーダイオード

発明者： 八尾 勉 ,  大野 俊之 ,  小野瀬 秀勝 ,  浅野 勝則 ,  林 智基 ,  菅原 良孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  関西電力株式会社
代理人 (1件)： 笹岡 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284780
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101101
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 順方向の電流導通時の電圧降下の増大を伴うことなく、漏れ電流を低減して逆電圧阻止特性を著しく向上させた高耐圧、大電流のSiCショットキーダイオードを提供することにある。【解決手段】 一対の主表面を有し、第一導電型の高不純物濃度3および低不純物濃度2の二つの半導体層が積層されたSiC半導体基体1と、前記基体の第一主表面に形成され、第一導電型の低不純物濃度の半導体層との間にショットキー障壁51をなすショットキー金属5と、前記基体の第二主表面に形成され、第一導電型の高不純物濃度の半導体層にオーム性抵抗接触されるカソード電極6からなるSiCショットキーダイオードにおいて、前記基体内の第一主表面に近い部分に第一導電型の低不純物濃度の半導体層との間にpn接合を形成する第二導電型の埋込み層7を複数個分散配置し、その間隔を幅広くする。

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有し、第一導電型の高不純物濃度および低不純物濃度の二つの半導体層が積層されたSiC半導体基体と、前記基体の第一主表面に形成され、前記第一導電型の低不純物濃度の半導体層との間にショットキー障壁をなすショットキー金属と、前記基体の第二主表面に形成され、前記第一導電型の高不純物濃度の半導体層にオーム性抵抗接触されるカソード電極からなるSiCショットキーダイオードにおいて、前記基体内の第一主表面に近い部分に前記第一導電型の低不純物濃度の半導体層との間にpn接合を形成する第二導電型の埋込み層を複数個分散配置することを特徴とするSiCショットキーダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 657 D

Fターム (6件)：

4M104AA03 ,  4M104CC03 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-124900   出願人：富士電機株式会社