特許
J-GLOBAL ID：200903028532129297

半導体装置およびその製造方法

発明者：
稗田 克彦

稗田 克彦 について

, 
小澤 良夫

小澤 良夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-093021
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285818
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 STI溝のアスペクト比が高くなってもトンネル絶縁膜にプロセスダメージを与えずにSTIを行える半導体メモリセルを提供すること。【解決手段】 半導体装置は、基板と、第1及び第2の溝内に設けられ、基板表面よりも上に突出している第1絶縁膜と、基板上の半導体メモリセルとを備え、チャネル幅方向では第1の溝上の第1の絶縁膜と第2の溝上の第1絶縁膜の間隔は基板表面位置よりも該表面より上の位置での方が広く、半導体メモリセルは、第1の溝と第2の溝の間の基板上に設けられた第2絶縁膜と、第2の絶縁膜の上方に設けられた制御ゲート電極と、制御ゲート電極と第2絶縁膜の間に設けられチャネル幅方向の寸法に関し制御ゲート電極と対向する上面側の方が第2絶縁膜と対向する下面側よりも大きく、チャネル幅方向に関し第1及び第2の溝に対してのずれ量が略等しい浮遊ゲート電極と、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極の間に設けられた第3絶縁膜とを備える。【選択図】 図17
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられた第1の素子分離領域であって、前記半導体基板の表面に設けられた第1および第2の溝、および、該第1および第2の溝内に設けられ、かつ、前記半導体基板の前記表面よりも上に突出している第1の絶縁膜を備えた第1の素子分離領域と、 前記半導体基板上に設けられ、電気的に書き換え可能な半導体メモリセルと を具備してなる半導体装置であって、 前記半導体メモリセルのチャネル幅方向に関し、前記第1の溝上の前記第1の絶縁膜と前記第2の溝上の前記第1の絶縁膜との間隔は、前記半導体基板の前記表面の位置よりも該表面より上の位置での方が広く、 前記半導体メモリセルは、 前記第1の溝と前記第2の溝との間の前記半導体基板の前記表面上に設けられた第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜の上方に設けられた制御ゲート電極と、 前記制御ゲート電極と前記第2の絶縁膜との間に設けられた浮遊ゲート電極であって、前記チャネル幅方向の寸法に関し、前記制御ゲート電極と対向する上面側の方が前記第2の絶縁膜と対向する下面側よりも大きく、かつ、前記チャネル幅方向に関し、前記第1および第2の溝に対してのずれ量が略等しい浮遊ゲート電極と、 前記浮遊ゲート電極と前記制御ゲート電極との間に設けられた第3の絶縁膜と を具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L21/8247 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (6件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/10 434 ,  H01L21/76 L ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321K
Fターム (89件)：
5F032AA34 ,  5F032AA37 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032AC01 ,  5F032BA02 ,  5F032CA03 ,  5F032CA23 ,  5F032CA24 ,  5F032DA04 ,  5F032DA09 ,  5F032DA24 ,  5F032DA27 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA44 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F083EP04 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP43 ,  5F083EP56 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR53 ,  5F083ZA07 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA34 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD10 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16 ,  5F101BH19 ,  5F101BH21 ,  5F101BH23
引用特許：
出願人引用 (2件)

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